富士電機は、2019～23年度の中期経営計画を策定した。23年度に売上高１兆円（18年度比9％増）、営業利益800億円（同33%増）を目指す。このうち、成長分野に位置づける電子デバイス（半導体＋ディスク媒体）事業では、自動車用パワー半導体を中心に強化し、23年度に売上高2000億円（同46％増）、営業利益220億円（同41％増）を狙う。この強化に向けて、電子デバイス事業に5年間で総額1200億円の設備投資を行う予定だ。
半導体は5年で57％増収を計画
電子デバイス事業の23年度売上高2000億円の内訳は、半導体が18年度実績比57％増の1750億円、ディスク媒体が同横ばいの250億円。半導体は、同社が手がける産業用ディスクリート、産業用モジュール、自動車の3分野のうち、自動車用の売上比率を18年度の28％から23年度に50％へ拡大し、年率2桁で成長が見込まれる電動車（xEV）向けの需要拡大を成長の牽引役とする。
xEV市場は年率41％で成長すると想定し、ここに向けてIGBTとFWDを1チップ化したRC-IGBTと、これを搭載した第4世代の直接水冷モジュールを投入して差別化を図っていく。直接水冷モジュールにRC-IGBTを適用した場合、従来のIGBT＋FWDの構成に比べてチップ実装面積を25％、チップの発熱を33％、それぞれ低減できるという。
一方、産業用では、第7世代IGBTとRC-IGBTのスペックインをさらに進め、従来得意としていた産業ロボットや汎用インバーターなどの中容量帯に加えて、エアコンなどの小容量帯や、風力・太陽光発電や電鉄などの大容量帯を開拓していく。第7世代IGBTを小容量IPM（Intelligent Power Module）に適用した場合、既存の第6世代IGBTより電力損失を32％低減できる見込み。また、大容量パワーモジュールにRC-IGBTを搭載すると、電力容量を現状の1800Aから2400Aへ33％アップできるという。
これにより23年度には、産業用モジュールにおける小容量＋大容量帯の売上比率を18年度の17％から40％へ向上するとともに、第7世代IGBTの売上比率を50％まで高める考え。
SiCの研究開発も推進
研究開発費については5年間で740億円（18年度までの5年実績は624億円）を投じ、第8世代IGBTの開発やSiCデバイス＆モジュールの開発を加速する。SiCについては、需要拡大期が当初見込みよりも遅れて25～26年になるとみているが、第1世代のトレンチMOSFETに比べて電力損失を23％低減できる第2世代品の開発を進めるとともに、一般産業／新エネルギー向けや電鉄向けのパッケージにも搭載を拡大して、用途に応じたパッケージ系列を追加していく。第2世代のSiCトレンチMOSFETは19年度末からサンプル提供を開始する。
積極投資で8インチ生産を拡大
5年間で1200億円を計画している設備投資では、前工程で8インチウエハーによる生産の合理化（6インチからの切り替え）と能力増強に取り組み、8インチ生産能力を18年度比で約3倍に拡大する。後工程については、自動車用IGBT、ディスクリート、大容量とエアコン用の産業用IGBTおよび海外での生産拡大に取り組む。これらによって、半導体の海外売上比率を18年度の57％から23年度には61％まで高める考えだ。
1200億円のうち、能力増強には600億～700億円を充てる考え。需要がもう一段増加した場合は、需要規模に応じてファンドリーの活用と自社での生産能力増強を検討する。
電子デバイス産業新聞 編集長 津村 明宏
