富士電機、パワー半導体300mm化は「2～3年かかる」 21～22年の量産適用を視野

これまで「高価すぎる」「口径が小さすぎる」といわれてきた炭化ケイ素（SiC）市場が本格的な拡大期に入ってきた。これから本格的な成長軌道を描く電動自動車や第5世代通信システム（5G）などに不可欠な素材として、ウエハー、そしてこれを用いるパワー半導体や高周波（RF）デバイスメーカー、製造装置メーカーのビジネスが活発化。「2023年に100億ドルを超えるパワー半導体市場で、うち20億ドルをSiCが占める」との予測も出ており、立ち上げに向けて旺盛な投資が続きそうだ。2～3年以内に8インチ（直径200mm）SiCウエハーが登場することも予想され、そうなれば既存の半導体工場で量産しやすくなるため、投資はさらに活発化する可能性がある。直近の関連各社の動きをまとめた。

インフィニオンテクノロジーズが業界に先駆けて実用化を図った、パワー半導体の300mmウエハーによる量産。長らく同社に追随する企業が現れない状態が続いていたが、ここにきて海外勢はもとより、国内企業でも300mm生産を決断するケースが出てきた。EVやハイブリッドなど車両電動化の進展を受けて、車載用パワー半導体の低コスト生産がより一層求められるようになってきたことが背景にある。

富士電機は、2019～23年度の中期経営計画を策定した。23年度に売上高１兆円（18年度比9％増）、営業利益800億円（同33%増）を目指す。このうち、成長分野に位置づける電子デバイス（半導体＋ディスク媒体）事業では、自動車用パワー半導体を中心に強化し、23年度に売上高2000億円（同46％増）、営業利益220億円（同41％増）を狙う。この強化に向けて、電子デバイス事業に5年間で総額1200億円の設備投資を行う予定だ。